公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。
0世纪以来,集成电路产业发展迅速,MOS器件是集成电路的重要元器件,需求量持续增大。MOS,是MOSFET的缩写,是金属-氧化物半导体场效应晶体管,具有输入阻抗高、稳定性好、噪声小等优点,是重要的功率分立器件之一,在通信、电子、家电、汽车、物联网、车联网等领域应用广泛。随着半导体工艺制程进入纳米阶段,围栅硅纳米线MOS器件成为关注重点。
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用电源IC立即驱动MOS管
一个好的MOS管驱动电路有下面几点规定:
(1)开关管启用瞬间,驱动电路应能输出非常大的电流,使MOS管栅源极间工作电压快速升高到所需值,确保开关管能迅速开启且不会有上升沿的高频率震荡。
(2)电源开关通断期内,驱动电路能确保MOS管栅源极间工作电压长期保持,且有效通导。
(3)关闭一瞬间驱动电路,能供应一个尽量低阻抗的通道,供MOS管栅源极间电容工作电压的迅速泄流,确保开关管能迅速关闭。
(4)驱动电路构造简易靠谱、耗损小。
(5)依据具体情况开展防护。
在控制模块电源中,常见的是电源IC直接驱动MOS管。应用中,应当留意较大驱动高值电流量、MOS管的分布电容2个主要参数。电源IC的驱动能力、MOS分布电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管电源开关速率。假如挑选MOS管分布电容较为大,电源IC內部的驱动能力又不够时,必须在驱动电路上提高驱动能力,常应用图腾柱电源电路提升电源IC驱动能力。
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判定栅极
用万用表的黑表笔去触碰管子的随意一个电极,红表笔分别去触碰另外的两个电极。如果两次都测出的阻值较小,说明两者都是正向电阻,该管属于是N沟道的场效应管,黑表笔接触的一样也是栅极。
制作的过程中就决定了场效应管的漏极和源极是对称的 ,可以互相交换使用 ,并不会影响电路的使用,电路此时也是正常的,所以不用去过度区分。漏极和源极之间的电阻大约是几千欧。不能使用这个方法去判断绝缘栅型场效应管的栅极。因为这管子输入的电阻是极高的,而且栅源之间的极间电容又是非常小的,测量的时候只要有少量电荷,就可以在极间电容上面形成极高的电压,管子将很容易损坏。
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做电源电路,或是做推动领域的电源电路,免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型,也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用,自然便是用它的开关功效。
不管N型或是P型MOS管,其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节輸出端漏极的电流。MOS管是压控器件它根据加在栅极上的电流操纵器件的特点,不容易产生像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用,因而在开关运用中,MOS管的开关速率应当比三极管快。
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