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由于金属材料的帕尔帖效应是相对较弱的，而半导体材料基于帕尔帖原理运行，所产生的效应也会更强一些，所以，在制冷的材料中，半导体就成为了主要的原料。但是，对于这种材料的使用中，需要注意多数的半导体材料的无量纲值接近1，比固体理论模型要低一些，在实际数据的计算上所获得的结果是4，所以，对于半导体材料的应用中，要使得半导体制冷技术合理运用，就要深入研究。
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半导体制冷的过程中会涉及到很多的参数，而且条件是复杂多变的。任何一个参数对冷却效果都会产生影响。实验室研究中，由于难以满足规定的噪声，就需要对实验室环境进行研究，但是一些影响因素的探讨是存在难度的。半导体制冷技术是基于粒子效应的制冷技术，具有可逆性。所以，在制冷技术的应用过程中，冷热端就会产生很大的温差，对制冷效果必然会产生影响。
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以GaN（氮化）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED实现商品化生产成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上
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