推广 热搜:

基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用

   日期:2023-07-30     浏览:3    评论:0    
核心提示:基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用传统的直流充电桩拓扑电路一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也
 基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用
 
传统的直流充电桩拓扑电路一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳 AC/DC电路后,得到直流母线电压,然后经过两路全桥LLC DC/DC电路,输出 200V到1000V高压给新能源汽车充电使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率 40kHz 左右,一般用使用 650V的超结MOSFET或者 650V 的IGBT,劣势是器件多,硬件设计复杂,效率低,失效率高。新一代直流充电桩拓扑电路会把原来的PFC维也纳整流升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的三相全桥PFC整流。这样将大大减少功率器件数量,简化控制电路的复杂性,同时通过提高开关频率来降低电感的感量,尺寸和成本。DC/DC全桥LLC部分,升级为采用第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的DC/DC电路,可以从原来的三电平优化为两电平LLC。这样可以极大简化拓扑电路,减少元器件的数量,控制和驱动更加简单。基于第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的高频特性,可以提高LLC电路的开关频率,从而减少磁性器件的尺寸和成本。由于LLC电路是软开关工作模式,损耗集中在开关管的导通损耗上,由于拓扑结构的原因,流过LLC中SiC碳化硅MOSFET的电流有效值是Si MOSFET电流的一半,所以最终导通损耗大大减小。新一代采用SiC碳化硅MOSFET B2M040120Z的直流充电桩拓扑电路可以提升0.3~0.5%左右的效率。
  
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。
 
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。
 
基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。
 
更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。
 
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。
 
更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。
原文链接:http://www.0515.org/news/show-293.html,转载和复制请保留此链接。
以上就是关于基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET在直流充电桩电源模块中的应用全部的内容,关注我们,带您了解更多相关内容。
 
打赏
 
更多>同类资讯
0相关评论

推荐资讯
网站首页  |  VIP套餐介绍  |  关于我们  |  联系方式  |  手机版  |  版权隐私  |  SITEMAPS  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报